Fyzikální metody depozice – KFY/P223

V LS 2016 vyučováno Dr. Gordieevem, níže uvedené přednášky lze používat jako další pomocnou literaturu.

Fyzikální metody depozice – KFY/P223 

Vytváření tenkých vrstev a tenkovrstvých struktur  je důležitou součástí oboru nanotechnologií. Cílem kurzu je poskytnout studentům základní orientaci v povrchových technologiích, pochopit vazbu mezi složením a vlastnostmi povlaku i ve vztahu k technologii depozice. Studenti se seznámí  s moderními  depozičními metodami, s měřením parametrů procesů a s přípravou substrátů pro depozicí.

  1. Vymezení pojmu tenkých vrstev, význam TV ve vědě a technice, přehled metod vytváření TV
  2. Růst tenkých vrstev: módy a fáze růstu TV, vliv parametrů procesu.
  3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, vypařování elektronovým svazkem, MBE.
  4. Úvod do fyziky plazmatu : základní charakteristiky plazmatu, plazma v elektrickém a magnetickém poli, vf plazma.
  5. Doutnavý výboj : oblasti výboje, interakce plazmatu s elektrodami a stěnami, obloukový výboj: charakteristika, katodová skvrna, vypařování nízkonapěťovým obloukem.
  6. Naprašování: princip metody, magnetrony, ss naprašování, pulzní naprašování, rf naprašování naprašovací rychlost, naprašování kovů, slitin a sloučenin.
  7. Speciální metody : laserová ablace, ablace elektronovým svazkem, IBAD, depozice ionizovaných klastrů. Anodická oxidace, vrstvy Langmuira-Blodgettové.
  8. Chemické metody a fyzikální-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD.
  9. Metody měření depoziční rychlosti, měření parametrů plazmatu.
  10. Příprava substrátů: chemické ošetření, žíhání, iontové leptání.
  11. Litografie, maskování, vytváření nanostruktur.

Literatura:

Eckertová L., Fyzika tenkých vrstev, SNTL, 1973 Eckertová, L., Rùžièka, T. (ed.), Growth and Applications of Thin Films, Prométheus, Praha , 1994

Zápoèet

2 x zápoètová písemka z každé více než 75 % bodù

1. písemky v týdnu od 26.3. 2012

Zkouška

písemka – více než 75 % bodù

3 x ústní otázka

Leave a Reply